mixed-pg电子竞技平台

0.18μm/0.16μm/0.153μm 1.8v/3.3v g
0.18μm/0.16μm/0.153μm 1.8v/5v g

 overview

        公司0.18um工艺是基于客户对于fab兼容目的而开发可广泛应用的工艺。0.18um逻辑工艺可提供1.8v电压core device、3.3v或者5v 电压io device， 并同时提供native vt、medium low vt器件、高性能电容、高精度poly电阻、可变电容器、电感等可选工艺可方便客户电路设计。

shrunk工艺可以有效的降低客户成本，同时shrunk工艺的器件特性同不shrunk工艺非常接近。公司 0.162um工艺是0.18um 90% shrunk工艺, 公司 0.153um工艺是0.18um 85% shrunk工艺。
公司0.18um工艺提供otp/mtp工艺，otp/mtp 工艺同现有单多晶逻辑工艺平台兼容，不需要额外增加光刻层次。

 key features

 0.18um process family

 0.18μm cmos en (3.3v or 5v) 

 overview  
        公司提供的0.18μm cmos en (3.3v or 5v)工艺拥有极具竞争力的光刻次数和紧凑的设计规则，为dc-dc、led屏驱动、音频功放、mcu等应用提供了很好的pg电子官方的解决方案。

 key features 
- single poly, rich metal (aluminum) options (support 2~6, thin/thick top metal options)
- hi-rsh poly resistor, mim/mos capacitor, otp/ft e–fuse and other rich device options
- full design kit support with pdk\cmd\library

 application 
- dc-dc
- led display
- audio amplifier
- mcu

 0.18μm e-flash

 overview  
        公司提供的0.18μm e-flash工艺兼容0.18um logic工艺，提供业界具有竞争力的闪存ip，高可靠性，低功耗和低成本，为智能卡、各类屏接触控制、mcu等应用提供了很好的pg电子官方的解决方案。

 key features 
- double polys, support 4~6 top metal options
- industrial competitive flash macro cell size, low voltage, low power operation
- full design kit support with pdk\ std cell\io library

 application 
- smart card
- touch-screen controller
- mcu